MOSFET Vishay IRFBG30PBF, VDSS 1.000 V, ID 3,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 919-4508Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRFBG30PBF
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1000 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

4.7mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

10.41mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

80 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

9.01mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Información de stock no disponible temporalmente.

$ 84,90

$ 1,698 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

MOSFET Vishay IRFBG30PBF, VDSS 1.000 V, ID 3,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 84,90
100$ 144,32
150$ 216,49
200$ 288,65
250$ 339,59
300$ 407,50
350$ 475,42
400$ 543,34
450$ 611,26
500$ 679,17
550$ 747,09
600$ 815,01
650$ 882,92
700$ 950,84
750$ 1.018,76

$ 84,90

$ 1,698 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

MOSFET Vishay IRFBG30PBF, VDSS 1.000 V, ID 3,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Información de stock no disponible temporalmente.

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 84,90
100$ 144,32
150$ 216,49
200$ 288,65
250$ 339,59
300$ 407,50
350$ 475,42
400$ 543,34
450$ 611,26
500$ 679,17
550$ 747,09
600$ 815,01
650$ 882,92
700$ 950,84
750$ 1.018,76

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Tubo
50 - 50$ 1,698$ 84,90
100 - 200$ 1,443$ 72,16
250+$ 1,358$ 67,92

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1000 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

4.7mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

10.41mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

80 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

9.01mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more