MOSFET Vishay IRFBG30PBF, VDSS 1.000 V, ID 3,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
80 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 72,74
€ 1,455 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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€ 1,455 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,455 | € 72,74 |
| 100 - 200 | € 1,237 | € 61,83 |
| 250+ | € 1,164 | € 58,20 |
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
80 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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