MOSFET Vishay IRFBE30PBF, VDSS 800 V, ID 4,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 541-1124PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRFBE30PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

78 nC a 10 V

Profundidad

4.7mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.41mm

Altura

9.01mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 17,20

€ 1,72 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

MOSFET Vishay IRFBE30PBF, VDSS 800 V, ID 4,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
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Empaque de Producción (Cinta)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 1
10€ 17,20
11€ 18,92
12€ 20,64
13€ 22,35
14€ 24,07
15€ 25,79
16€ 27,51
17€ 29,23
18€ 30,95
19€ 32,67
20€ 34,39
21€ 36,11
22€ 37,83
23€ 39,55
24€ 41,27

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
10 - 49€ 1,72
50 - 99€ 1,65
100 - 249€ 1,56
250+€ 1,48

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N

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TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Profundidad

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Material del transistor

Si

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Longitud

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Altura

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