MOSFET Vishay IRFBE30PBF, VDSS 800 V, ID 4,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
78 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Altura
9.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 2,19
€ 2,19 Each (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,19 |
| 10 - 49 | € 2,14 |
| 50 - 99 | € 2,04 |
| 100 - 249 | € 1,92 |
| 250+ | € 1,83 |
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3
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3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Altura
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