Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Altura
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 94,96
€ 3,799 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
25
€ 94,96
€ 3,799 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
25 - 45 | € 3,799 | € 18,99 |
50 - 120 | € 3,586 | € 17,93 |
125 - 245 | € 3,375 | € 16,88 |
250+ | € 3,123 | € 15,62 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Altura
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto