MOSFET Vishay IRF9640PBF, VDSS 200 V, ID 11 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Anchura
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.41mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
$ 2,51
$ 2,51 Each (Sin IVA)
Estándar
1
$ 2,51
$ 2,51 Each (Sin IVA)
Estándar
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | $ 2,51 |
10 - 49 | $ 2,10 |
50 - 99 | $ 2,01 |
100 - 249 | $ 1,88 |
250+ | $ 1,75 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Anchura
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.41mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto