MOSFET Vishay IRF9630PBF, VDSS 200 V, ID 6,5 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
800 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
74000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.41mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.01mm
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,71
€ 1,71 Each (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,71 |
| 10 - 49 | € 1,47 |
| 50 - 99 | € 1,35 |
| 100 - 249 | € 1,29 |
| 250+ | € 1,20 |
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Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
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Si
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Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
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Profundidad
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