Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Profundidad
9.65mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
4.83mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
$ 96,54
$ 1,931 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
50
$ 96,54
$ 1,931 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
50 - 120 | $ 1,931 | $ 9,65 |
125 - 245 | $ 1,849 | $ 9,24 |
250 - 495 | $ 1,643 | $ 8,22 |
500+ | $ 1,542 | $ 7,71 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Profundidad
9.65mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
4.83mm
País de Origen
China
Datos del producto