MOSFET Vishay IRF644PBF, VDSS 250 V, ID 14 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
68 nC a 10 V
Anchura
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.41mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1,92
€ 1,92 Each (Sin IVA)
Estándar
1
€ 1,92
€ 1,92 Each (Sin IVA)
Estándar
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | € 1,92 |
10 - 49 | € 1,62 |
50 - 99 | € 1,54 |
100 - 249 | € 1,44 |
250+ | € 1,33 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
68 nC a 10 V
Anchura
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.41mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto