Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK SQD40061EL_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
TrenchFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
107000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
2.38mm
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
185 nC a 10 V
Altura
6.22mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 1.359,53
€ 0,68 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
2000
€ 1.359,53
€ 0,68 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
2000
Información de stock no disponible temporalmente.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
TrenchFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
107000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
2.38mm
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
185 nC a 10 V
Altura
6.22mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products