MOSFET Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 14,2 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
14.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
4V
Disipación de Potencia Máxima
24000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.15mm
Longitud:
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.07mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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€ 658,92
€ 0,22 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tipo de montaje
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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24000 mW
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.15mm
Longitud:
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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