MOSFET Vishay Siliconix SiR188DP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Series
TrenchFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.6V
Disipación de Potencia Máxima
65.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5mm
Largo
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
1.07mm
País de Origen
China
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€ 1.619,15
€ 0,54 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Conteo de Pines
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4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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65.7 W
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
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Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5mm
Largo
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 10 V
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