MOSFET Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 12 A, SC-70-6L de 6 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
SC-70-6L
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
19 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
2.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,9 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
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€ 925,73
€ 0,309 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
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2.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,9 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
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Altura
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