MOSFET Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 178-3853Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: Si2319DDS-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.7 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Anchura

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12,5 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.02mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

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€ 19,58

€ 0,392 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)

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Producción -

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50

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50€ 19,58
100€ 33,19
150€ 49,79
200€ 66,39
250€ 82,98
300€ 99,58
350€ 116,18
400€ 132,78
450€ 149,37
500€ 146,68
550€ 161,35
600€ 176,02
650€ 190,69
700€ 205,36
750€ 220,03

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
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100 - 450€ 0,332€ 16,60
500 - 950€ 0,293€ 14,67
1000+€ 0,254€ 12,68

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Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

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1V

Disipación de Potencia Máxima

1.7 W

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Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Anchura

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Material del transistor

Si

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1

Largo

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