MOSFET Toshiba TK7P65W,RQ(S, VDSS 650 V, ID 6,8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
DTMOSIV
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
800 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
60000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Altura
2.3mm
Tensión de diodo directa
1.7V
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, series TK6 y TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 6,94
€ 0,694 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
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Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Ancho
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Material del transistor
Si
Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
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