MOSFET Toshiba TK7P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 827-6274Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK7P60W,RVQ(S
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Series

TK

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

60000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

6.1mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.6mm

Altura

2.3mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, series TK6 y TK7, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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Series

TK

Tipo de montaje

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Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

60000 mW

Configuración de transistor

Single

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-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

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Material del transistor

Si

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