Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
72 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
120 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
225000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud:
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
130 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.45mm
Altura
15.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, series TK6 y TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 15,16
€ 3,032 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 15,16
€ 3,032 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | € 3,032 | € 15,16 |
25 - 45 | € 2,672 | € 13,36 |
50 - 120 | € 2,333 | € 11,66 |
125 - 245 | € 2,181 | € 10,90 |
250+ | € 2,059 | € 10,30 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
72 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
120 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
225000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud:
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
130 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.45mm
Altura
15.1mm
País de Origen
China
Datos del producto