MOSFET Toshiba TK60S06K3L, VDSS 60 V, ID 60 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
7mm
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.3mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
Japan
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€ 61,72
€ 1,234 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
€ 61,72
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Empaque de Producción (Rollo)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 1,234 | € 6,17 |
| 100 - 995 | € 1,101 | € 5,50 |
| 1000+ | € 0,988 | € 4,94 |
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N
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60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
7mm
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.3mm
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