MOSFET Toshiba TK58E06N1, VDSS 60 V, ID 105 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
105 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.45mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Altura
15.1mm
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 6,98
€ 1,396 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.45mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
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