Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
58 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
15mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
$ 4,20
$ 0,841 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
$ 4,20
$ 0,841 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | $ 0,841 | $ 4,20 |
50 - 95 | $ 0,693 | $ 3,46 |
100 - 245 | $ 0,63 | $ 3,15 |
250 - 495 | $ 0,616 | $ 3,08 |
500+ | $ 0,605 | $ 3,03 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
58 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
15mm
País de Origen
China
Datos del producto