MOSFET Toshiba TK58A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 58 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
58 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
15mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 3,59
€ 0,718 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
€ 3,59
€ 0,718 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,718 | € 3,59 |
| 50 - 95 | € 0,591 | € 2,96 |
| 100 - 245 | € 0,538 | € 2,69 |
| 250 - 495 | € 0,526 | € 2,63 |
| 500+ | € 0,517 | € 2,58 |
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N
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58 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
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Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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