MOSFET Toshiba TK56A12N1,S4X(S, VDSS 120 V, ID 56 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
56 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
120 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.5mm
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
69 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
15mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 64,53
€ 1,291 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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3
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.5mm
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Si
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