Toshiba TK N-Channel MOSFET, 40 A, 40 V, 3-Pin DP TK40P04M1(T6RSS-Q)
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
DP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
47000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 5 V, 29 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 2,40
€ 0,479 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
€ 2,40
€ 0,479 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
DP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
47000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 5 V, 29 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products