Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
67 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.45mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
15.1mm
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
$ 5,97
$ 1,194 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
$ 5,97
$ 1,194 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | $ 1,194 | $ 5,97 |
50 - 120 | $ 1,085 | $ 5,42 |
125 - 245 | $ 1,026 | $ 5,13 |
250 - 495 | $ 0,943 | $ 4,72 |
500+ | $ 0,871 | $ 4,36 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
67 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.45mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
15.1mm
Datos del producto