MOSFET Toshiba TK40A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 60 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 896-2375Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK40A06N1,S4X(S
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

60 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Series

TK

Tipo de Encapsulado

TO-220SIS

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

30000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

4.5mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

23 nC @ 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

15mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 5,28

€ 0,528 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TK40A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 60 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple

10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 5,28
20€ 10,55
30€ 15,83
40€ 21,11
50€ 17,11
60€ 20,54
70€ 23,96
80€ 27,38
90€ 30,81
100€ 33,52
110€ 36,87
120€ 40,22
130€ 43,57
140€ 46,92
150€ 50,27

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
10 - 40€ 0,528€ 5,28
50 - 90€ 0,342€ 3,42
100 - 240€ 0,335€ 3,35
250 - 490€ 0,324€ 3,24
500+€ 0,317€ 3,17

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Tipo de montaje

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10.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

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4V

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30000 mW

Configuración de transistor

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-20 V, +20 V

Profundidad

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