MOSFET Toshiba TK39J60W5,S1VQ(O, VDSS 600 V, ID 39 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
39 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
74 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
270 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
4.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
135 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 3,63
€ 3,63 Each (Sin IVA)
1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,63 |
| 10 - 19 | € 2,36 |
| 20 - 39 | € 2,29 |
| 40 - 79 | € 2,24 |
| 80+ | € 2,17 |
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
74 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
270 W
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Profundidad
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
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