MOSFET Toshiba TK39A60W,S4VX(M, VDSS 600 V, ID 39 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 896-2366Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK39A60W,S4VX(M
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

39 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

TK

Tipo de Encapsulado

TO-220SIS

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

50 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Profundidad

4.5mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

10mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

110 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

15mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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$ 5,05

$ 5,05 Each (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TK39A60W,S4VX(M, VDSS 600 V, ID 39 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 5,05
2$ 10,11
3$ 15,16
4$ 20,21
5$ 18,49
6$ 22,18
7$ 25,88
8$ 29,58
9$ 33,27
10$ 36,15
11$ 39,76
12$ 43,38
13$ 46,99
14$ 50,61
15$ 54,22

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 4$ 5,05
5 - 9$ 3,70
10 - 24$ 3,61
25 - 49$ 3,49
50+$ 3,44

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Toshiba

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N

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Tensión Máxima Drenador-Fuente

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Series

TK

Tipo de Encapsulado

TO-220SIS

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

50 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Profundidad

4.5mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

10mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

110 nC a 10 V

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