MOSFET Toshiba TK32A12N1,S4X(S, VDSS 120 V, ID 60 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 896-2344Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK32A12N1,S4X(S
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

60 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

120 V

Series

TK

Tipo de Encapsulado

TO-220SIS

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

13.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

30000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

4.5mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

10mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

34 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

15mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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$ 3,97

$ 0,794 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TK32A12N1,S4X(S, VDSS 120 V, ID 60 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 3,97
10$ 7,94
15$ 11,91
20$ 15,88
25$ 19,85
30$ 23,83
35$ 27,80
40$ 31,77
45$ 35,74
50$ 25,74
55$ 28,32
60$ 30,89
65$ 33,47
70$ 36,04
75$ 38,61

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
5 - 45$ 0,794$ 3,97
50 - 95$ 0,515$ 2,57
100 - 195$ 0,501$ 2,51
200 - 395$ 0,49$ 2,45
400+$ 0,474$ 2,37

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13.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

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Configuración de transistor

Single

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-20 V, +20 V

Profundidad

4.5mm

Material del transistor

Si

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