MOSFET Toshiba TK31E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 168-7968Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK31E60W,S1VX(S
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

31,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Series

TK

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

88 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

230000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

86 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4.45mm

Altura

15.1mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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$ 201,63

$ 4,033 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TK31E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 201,63
100$ 403,26
150$ 604,89
200$ 806,52
250$ 907,50
300$ 1.089,00
350$ 1.270,51
400$ 1.452,01
450$ 1.633,51
500$ 1.653,43
550$ 1.818,77
600$ 1.984,12
650$ 2.149,46
700$ 2.314,80
750$ 2.480,14

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500$ 1.653,43
550$ 1.818,77
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Tubo
50 - 200$ 4,033$ 201,63
250 - 450$ 3,63$ 181,50
500+$ 3,307$ 165,34

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N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

31,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Series

TK

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

88 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

230000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

86 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

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