MOSFET Toshiba TK25A60X,S5X(M, VDSS 600 V, ID 25 A, TO-220SIS de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
DTMOSIV
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.5mm
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.7V
Altura
15mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 11,56
€ 2,313 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,313 | € 11,56 |
| 25 - 45 | € 1,971 | € 9,85 |
| 50 - 120 | € 1,811 | € 9,06 |
| 125 - 245 | € 1,788 | € 8,94 |
| 250+ | € 1,768 | € 8,84 |
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25 A
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.5mm
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
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