MOSFET Toshiba TK25A60X,S5X(M, VDSS 600 V, ID 25 A, TO-220SIS de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
DTMOSIV
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.5mm
Largo
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.7V
Altura
15mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 11,37
€ 2,274 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,274 | € 11,37 |
| 25 - 45 | € 1,938 | € 9,69 |
| 50 - 120 | € 1,781 | € 8,91 |
| 125 - 245 | € 1,758 | € 8,79 |
| 250+ | € 1,739 | € 8,70 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.5mm
Largo
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
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