Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
280000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Longitud
40.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.8mm
Altura
19mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 2,42
€ 2,42 Each (Sin IVA)
1
€ 2,42
€ 2,42 Each (Sin IVA)
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 24 | € 2,42 |
25 - 99 | € 1,71 |
100+ | € 1,67 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
280000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Longitud
40.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.8mm
Altura
19mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Japan
Datos del producto