MOSFET Toshiba TK12E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 11,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
TK
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
4.45mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Altura
15.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 11,97
€ 2,394 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,394 | € 11,97 |
| 25 - 45 | € 1,921 | € 9,60 |
| 50 - 120 | € 1,749 | € 8,75 |
| 125 - 245 | € 1,604 | € 8,02 |
| 250+ | € 1,438 | € 7,19 |
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N
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11.5 A
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600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
TK
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
4.45mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Altura
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