MOSFET Toshiba TK12E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 11,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Ancho
4.45mm
Altura
15.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 11,82
€ 2,363 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,363 | € 11,82 |
| 25 - 45 | € 1,896 | € 9,48 |
| 50 - 120 | € 1,727 | € 8,64 |
| 125 - 245 | € 1,584 | € 7,92 |
| 250+ | € 1,42 | € 7,10 |
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N
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11.5 A
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Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Ancho
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Altura
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