MOSFET Toshiba TK100E10N1, VDSS 100 V, ID 207 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 168-7770Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK100E10N1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

207 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

TK

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

255000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

4.45mm

Largo

10.16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

140 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

15.1mm

País de Origen

Japan

Datos del producto

MOSFET Transistors, Toshiba

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$ 105,71

$ 2,114 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TK100E10N1, VDSS 100 V, ID 207 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 105,71
100$ 211,42
150$ 317,13
200$ 422,84
250$ 528,55
300$ 634,26
350$ 739,97
400$ 845,68
450$ 951,39
500$ 1.057,10
550$ 1.162,81
600$ 1.268,52
650$ 1.374,23
700$ 1.479,94
750$ 1.585,65

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N

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100 V

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TK

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

255000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

4.45mm

Largo

10.16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

140 nC a 10 V

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Si

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