Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,2E+006 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon
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$ 9,13
$ 0,037 Each (In a Pack of 250) (Sin IVA)
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
250 - 250 | $ 0,037 | $ 9,13 |
500 - 750 | $ 0,037 | $ 9,13 |
1000 - 1250 | $ 0,033 | $ 8,19 |
1500 - 2750 | $ 0,033 | $ 8,19 |
3000+ | $ 0,03 | $ 7,56 |
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Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,2E+006 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon