MOSFET Toshiba SSM6K403TU, VDSS 20 V, ID 4,2 A, UF6 de 6 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
UF6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
66 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.35V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
2mm
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,8 nC a 4 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.7mm
País de Origen
Thailand
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€ 25,79
€ 0,258 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 25,79
€ 0,258 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 475 | € 0,258 | € 6,45 |
| 500 - 975 | € 0,229 | € 5,74 |
| 1000+ | € 0,202 | € 5,05 |
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N
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4.2 A
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20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
UF6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
66 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.35V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
2mm
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Altura
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