MOSFET Toshiba SSM3K339R, VDSS 40 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
390 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.8mm
Longitud:
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 4,2 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.7mm
País de Origen
Thailand
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 6,84
€ 0,137 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
€ 6,84
€ 0,137 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 50 - 100 | € 0,137 | € 6,84 |
| 150 - 450 | € 0,115 | € 5,73 |
| 500 - 950 | € 0,098 | € 4,91 |
| 1000+ | € 0,084 | € 4,21 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
390 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.8mm
Longitud:
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 4,2 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.7mm
País de Origen
Thailand
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products