MOSFET Toshiba SSM3K339R, VDSS 40 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
390 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.8mm
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 4,2 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.7mm
País de Origen
Thailand
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€ 6,95
€ 0,139 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
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Estándar
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 50 - 100 | € 0,139 | € 6,95 |
| 150 - 450 | € 0,116 | € 5,82 |
| 500 - 950 | € 0,10 | € 4,99 |
| 1000+ | € 0,086 | € 4,28 |
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2 A
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
390 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.8mm
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 4,2 V
Temperatura máxima de funcionamiento
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Altura
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