Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
56 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
1.8mm
Largo
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,7 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.7mm
País de Origen
Thailand
$ 10,48
$ 0,21 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
$ 10,48
$ 0,21 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
50 - 100 | $ 0,21 | $ 10,48 |
150 - 450 | $ 0,163 | $ 8,15 |
500 - 950 | $ 0,134 | $ 6,71 |
1000+ | $ 0,122 | $ 6,09 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
56 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
1.8mm
Largo
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,7 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.7mm
País de Origen
Thailand