Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
2SK
Tipo de Encapsulado
PW Mold2
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Profundidad
2.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
5.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie 2SK, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
$ 6,55
$ 0,327 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
20
$ 6,55
$ 0,327 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
20
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
20 - 40 | $ 0,327 | $ 6,54 |
60 - 100 | $ 0,286 | $ 5,72 |
120 - 220 | $ 0,245 | $ 4,90 |
240 - 460 | $ 0,24 | $ 4,79 |
480+ | $ 0,233 | $ 4,66 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
2SK
Tipo de Encapsulado
PW Mold2
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Profundidad
2.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
5.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Japan
Datos del producto