MOSFET Toshiba 2SK4017(Q), VDSS 60 V, ID 5 A, PW Mold2 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 185-580Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: 2SK4017(Q)
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Series

2SK

Tipo de Encapsulado

PW Mold2

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

20000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Ancho

2.3mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.5mm

Altura

5.5mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Japan

Datos del producto

MOSFET de canal N, serie 2SK, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 5,72

€ 0,286 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
20 - 40€ 0,286€ 5,72
60 - 100€ 0,25€ 5,01
120 - 220€ 0,214€ 4,29
240 - 460€ 0,21€ 4,19
480+€ 0,204€ 4,07

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5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Series

2SK

Tipo de Encapsulado

PW Mold2

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

20000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Ancho

2.3mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.5mm

Altura

5.5mm

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