MOSFET Toshiba 2SK4017(Q), VDSS 60 V, ID 5 A, PW Mold2 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 185-580Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: 2SK4017(Q)
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Series

2SK

Tipo de Encapsulado

PW Mold2

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

20000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Profundidad

2.3mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.5mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

5.5mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Japan

Datos del producto

MOSFET de canal N, serie 2SK, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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$ 6,55

$ 0,327 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

MOSFET Toshiba 2SK4017(Q), VDSS 60 V, ID 5 A, PW Mold2 de 3 pines, , config. Simple

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 6,55
40$ 13,09
60$ 17,17
80$ 22,89
100$ 28,62
120$ 29,41
140$ 34,31
160$ 39,22
180$ 44,12
200$ 49,02
220$ 53,92
240$ 57,51
260$ 62,30
280$ 67,10
300$ 71,89

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
20 - 40$ 0,327$ 6,54
60 - 100$ 0,286$ 5,72
120 - 220$ 0,245$ 4,90
240 - 460$ 0,24$ 4,79
480+$ 0,233$ 4,66

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Tipo de montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

20000 mW

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Single

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Material del transistor

Si

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Altura

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