Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.2 to 3.0mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
10 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-50V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-346 (SC-59)
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
125 °C
Longitud
2.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
Datos del producto
JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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10 - 90 | € 0,356 | € 3,56 |
100+ | € 0,223 | € 2,23 |
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ToshibaTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.2 to 3.0mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
10 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-50V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-346 (SC-59)
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
125 °C
Longitud
2.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
Datos del producto
JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.