Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 0.75mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
10 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-50V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-346 (SC-59)
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Altura
1.1mm
Anchura
1.5mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Operación
125 °C
Largo
2.9mm
Datos del producto
JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 19,93
€ 0,199 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 19,93
€ 0,199 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
100
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
100 - 190 | € 0,199 | € 1,99 |
200 - 390 | € 0,181 | € 1,81 |
400+ | € 0,178 | € 1,78 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 0.75mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
10 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-50V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-346 (SC-59)
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Altura
1.1mm
Anchura
1.5mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Operación
125 °C
Largo
2.9mm
Datos del producto
JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.