Amplificador operacional OPA657U 1.6GHz SOIC, 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de Fuente de Alimentación
Dual
Número de Canales por Chip
1
Conteo de Pines
8
Producto de Ancho de Banda de Ganancia Típica
1.6GHz
Tensión de Alimentación Dual Típica
±5V
Slew Rate Típico
700V/µs
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Raíl a Raíl
No
Typical Voltage Gain
70 dB
Longitud
4.9mm
Profundidad
3.91mm
Densidad Típica de Ruido de Tensión de Entrada
4.8nV/√Hz
Altura
1.58mm
Dimensiones
4.9 x 3.91 x 1.58mm
Datos del producto
Amplificador operacional de entrada JFET, serie OPA Difet
Una gama de amplificadores operacionales de entrada FET Burr-Brown de altas prestaciones de Texas Instruments. Estos dispositivos tienen un etapa de entrada que utiliza FET dieléctricamente aislados (Difet®) que reducen significativamente las corrientes de polarización de entrada mediante la eliminación de fugas de unión de aislamiento. Proporcionan una combinación inusual de alta velocidad y precisión, junto con corrientes de entrada muy bajas. Las aplicaciones típicas incluyen instrumentos de precisión, amplificadores de fotodetectores y electrómetros, equipos médicos y adquisición de datos de alta precisión.
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€ 15,75
€ 15,75 Each (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | € 15,75 |
| 5 - 9 | € 14,96 |
| 10 - 24 | € 14,18 |
| 25 - 49 | € 13,82 |
| 50+ | € 13,48 |
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Conteo de Pines
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Producto de Ancho de Banda de Ganancia Típica
1.6GHz
Tensión de Alimentación Dual Típica
±5V
Slew Rate Típico
700V/µs
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Raíl a Raíl
No
Typical Voltage Gain
70 dB
Longitud
4.9mm
Profundidad
3.91mm
Densidad Típica de Ruido de Tensión de Entrada
4.8nV/√Hz
Altura
1.58mm
Dimensiones
4.9 x 3.91 x 1.58mm
Datos del producto
Amplificador operacional de entrada JFET, serie OPA Difet
Una gama de amplificadores operacionales de entrada FET Burr-Brown de altas prestaciones de Texas Instruments. Estos dispositivos tienen un etapa de entrada que utiliza FET dieléctricamente aislados (Difet®) que reducen significativamente las corrientes de polarización de entrada mediante la eliminación de fugas de unión de aislamiento. Proporcionan una combinación inusual de alta velocidad y precisión, junto con corrientes de entrada muy bajas. Las aplicaciones típicas incluyen instrumentos de precisión, amplificadores de fotodetectores y electrómetros, equipos médicos y adquisición de datos de alta precisión.
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