MOSFET Texas Instruments CSD19536KTTT, VDSS 100 V, ID 272 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
272 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
9.65mm
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
118 nC a 0 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
4.83mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 182,16
€ 3,643 Each (On a Reel of 50) (Sin IVA)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 3,643 | € 182,16 |
| 100 - 200 | € 3,55 | € 177,48 |
| 250+ | € 3,461 | € 173,04 |
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Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
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1
Profundidad
9.65mm
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
118 nC a 0 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
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Altura
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