MOSFET Texas Instruments CSD19536KCS, VDSS 100 V, ID 259 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
259 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
118 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
16.51mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 8,67
€ 4,336 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 24 | € 4,336 | € 8,67 |
| 26+ | € 3,518 | € 7,04 |
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Mejora
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1
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
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Profundidad
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Si
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