MOSFET Texas Instruments CSD19536KCS, VDSS 100 V, ID 259 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
259 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
118 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
16.51mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 125,02
€ 2,50 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 125,02
€ 2,50 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,50 | € 125,02 |
| 100 - 200 | € 2,436 | € 121,79 |
| 250+ | € 2,375 | € 118,74 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
259 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
118 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
16.51mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products