MOSFET Texas Instruments CSD19534KCS, VDSS 100 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
118 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,1 nC a 0 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
16.51mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
118 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,1 nC a 0 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
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