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MOSFET Texas Instruments CSD19534KCS, VDSS 100 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 900-9964Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD19534KCS
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

NexFET

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

118 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

17,1 nC a 0 V

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Profundidad

4.7mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

Altura

16.51mm

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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$ 8,57

$ 1,714 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET Texas Instruments CSD19534KCS, VDSS 100 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 8,57
10$ 17,14
15$ 25,71
20$ 34,28
25$ 33,14
30$ 39,76
35$ 46,39
40$ 53,02
45$ 59,64
50$ 64,92
55$ 71,41
60$ 77,90
65$ 84,40
70$ 90,89
75$ 97,38

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35$ 46,39
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45$ 59,64
50$ 64,92
55$ 71,41
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
5 - 20$ 1,714$ 8,57
25 - 45$ 1,325$ 6,63
50+$ 1,298$ 6,49

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Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

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100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

NexFET

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

118 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

17,1 nC a 0 V

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Profundidad

4.7mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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