MOSFET Texas Instruments CSD19534KCS, VDSS 100 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
118 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.7mm
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,1 nC a 0 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.51mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 39,07
€ 0,781 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,781 | € 39,07 |
| 100 - 200 | € 0,703 | € 35,14 |
| 250 - 450 | € 0,664 | € 33,20 |
| 500 - 700 | € 0,636 | € 31,80 |
| 750+ | € 0,621 | € 31,03 |
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100 V
Series
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
118 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.7mm
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,1 nC a 0 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.51mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
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