MOSFET Texas Instruments CSD18533Q5A, VDSS 60 V, ID 100 A, VSONP de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.8mm
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
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-20 V, +20 V
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Si
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Temperatura máxima de funcionamiento
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