Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
134 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 8,21
€ 1,643 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 8,21
€ 1,643 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,643 | € 8,21 |
25 - 45 | € 1,563 | € 7,81 |
50 - 120 | € 1,406 | € 7,03 |
125 - 245 | € 1,262 | € 6,31 |
250+ | € 1,199 | € 6,00 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
134 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto