MOSFET Texas Instruments CSD18504Q5A, VDSS 40 V, ID 75 A, VSONP de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 28,11
€ 1,124 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
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Empaque de Producción (Rollo)
25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 1,124 | € 5,62 |
| 50 - 120 | € 1,015 | € 5,08 |
| 125 - 245 | € 0,908 | € 4,54 |
| 250+ | € 0,868 | € 4,34 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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