Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
$ 31,92
$ 1,277 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
$ 31,92
$ 1,277 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
25 - 45 | $ 1,277 | $ 6,38 |
50 - 120 | $ 1,153 | $ 5,76 |
125 - 245 | $ 1,031 | $ 5,16 |
250+ | $ 0,985 | $ 4,93 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto