Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.3e+006 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
€ 10,07
€ 1,007 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
€ 10,07
€ 1,007 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,007 | € 10,07 |
50 - 90 | € 0,985 | € 9,85 |
100 - 240 | € 0,754 | € 7,54 |
250 - 990 | € 0,746 | € 7,46 |
1000+ | € 0,669 | € 6,69 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.3e+006 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si