MOSFET Texas Instruments CSD17307Q5A, VDSS 30 V, ID 73 A, VSONP de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 827-4833PMarca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD17307Q5A
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

73 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

NexFET

Tipo de Encapsulado

VSONP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

17.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Ancho

5mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

5.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4 nC a 4,5 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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$ 0,688 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

73 A

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Series

NexFET

Tipo de Encapsulado

VSONP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

17.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Ancho

5mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

5.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4 nC a 4,5 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.1mm

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