MOSFET Texas Instruments CSD17301Q5A, VDSS 30 V, ID 100 A, SON de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.55V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 4,5 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.1mm
Series
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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Price on asking
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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8
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.55V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
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Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 4,5 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
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Series
NexFET
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